绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为：
　　增强型 ： N沟道、P沟道 耗尽型： N沟道、P沟道


　　N沟道增强型MOS管
　　结构：4个电极：漏极D、源极S、栅极G、衬底B。
　　工作原理：
　　当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。
　　当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。
　　继续增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。
　　N沟道增强型MOS管的基本特性：
　　uGS ＜ UT，管子截止，
　　uGS ＞UT，管子导通。
　　uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。

　　N沟道增强型MOS管
　　转移特性曲线：iD=f(uGS)uDS=const
　　可根据输出特性曲线作出移特性曲线。

　　N沟道增强型MOS管
　　跨导gm：
　　gm=iD/uGS uDS=const (单位ms)
　　gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
　　在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率。
　　在输出特性曲线上也可求出gm。

　　N沟道耗尽型MOSFET
　　在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
　　工作原理
　　当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。
　　当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。
　　当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。
　　定义
　　夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。
　　P沟道耗尽型MOSFET

　　P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
　　MOS管的主要参数
　　（1）开启电压UT
　　（2）夹断电压UP
　　（3）跨导gm：gm=iD/uGS uDS=const
　　（4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有SiO2绝缘层，输入电阻可达109～1015

　　Trench-MOS

　　2.MOS应用

　　开关作用
　　隔离作用
　　为实现线路上电流的单向流通，比如之让电流由A--->B,阻止电流由B--->A，可以有以下两种方法
　　方法2
　　方法1
　　使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制端加适当的电压，可以让MOS管饱和导通，此时导通压降几乎为0，故在实际电路中经常使用MOS做隔离。