绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),简称MOSFET。分为:
增强型 : N沟道、P沟道 耗尽型: N沟道、P沟道

N沟道增强型MOS管
结构:4个电极:漏极D、源极S、栅极G、衬底B。
工作原理:
当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。
当uGS>0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。
继续增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。
N沟道增强型MOS管的基本特性:
uGS < UT,管子截止,
uGS >UT,管子导通。
uGS 越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大。

N沟道增强型MOS管
转移特性曲线:iD=f(uGS)uDS=const
可根据输出特性曲线作出移特性曲线。

N沟道增强型MOS管
跨导gm:
gm=iD/uGS uDS=const (单位ms)
gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
在转移特性曲线上,gm为的曲线的斜率。
在输出特性曲线上也可求出gm。

N沟道耗尽型MOSFET
在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。
工作原理
当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。
当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。
当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。
定义
夹断电压( UP)——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。
P沟道耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
MOS管的主要参数
(1)开启电压UT
(2)夹断电压UP
(3)跨导gm:gm=iD/uGS uDS=const
(4)直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有SiO2绝缘层,输入电阻可达109~1015
Trench-MOS

2.MOS应用

开关作用
隔离作用
为实现线路上电流的单向流通,比如之让电流由A--->B,阻止电流由B--->A,可以有以下两种方法
方法2

方法1

使用MOS管做隔离,在正向导通时,在控制端加适当的电压,可以让MOS管饱和导通,此时导通压降几乎为0,故在实际电路中经常使用MOS做隔离。